Вернуться ко всем новостям

Алмаз станет материалом нового поколения в полупроводниковых устройствах

28.08.2003
Японская компания Nippon Telegraph and Telephone Corp. (NTT) разработала полупроводниковый чип на алмазной подложке. В компании утверждают, что устройство способно работать на частоте 81 Ггц, что в два раза превышает скорость работы предыдущих устройств. Алмаз, благодаря таким его характеристикам, как высокая теплопроводность и высокое напряжение пробоя, по всей вероятности, станет материалом следующего поколения в полупроводниковых устройствах.